HORIBA-堀場/橢圓偏振光譜儀
Company Profile總部堀場制作所 HORIBA, 創立于1945年 10月17日成立1953年 1月26日總部601-8510 京都市南區吉祥院宮之東町2番地注冊資本120.11 億日元 ，業務范圍生產和銷售汽車排放測量系統、環境測量儀器、種類齊全的科學分析儀、體外診斷分析儀和半導體行業使用的測量設備等。HORIBA還生產和銷售外圍測量與分析設備。此外，公司還可為實驗室等機構提供用于研發、生產和其他應用的測量與分析設備
HORIBA主營產品
生產和銷售汽車排放測量系統、環境測量儀器、種類齊全的科學分析儀、體外診斷分析儀和半導體行業使用的測量設備等
一.表面/薄膜質量/氧含量分析
HORIBA-堀場 橢圓偏振光譜儀
厚度，折射率和消光系數
一束入射偏振光 與薄膜介質相互作用后，測量出射光偏振態的改變(強度和相位)，
通過模型運算，解析出膜的光學常數(折射率n，消光系數k )及各層膜厚
特點
■薄膜的厚度測量范圍從幾個A到80μ m
■微光斑功能可選
■自動平臺樣 品掃描成像，監控所測膜厚均勻性
重點應用
1.晶體管: HEMT、OTFT、MOSFET.CMOS
2.壓電鐵電: PZT、 BST
3.高-K/低-K材料
4.光刻膠1聚合物測試
5.數據存儲: GeSbTe、DDLC
HORIBA-堀場 輝光放電光譜儀(GD-OES)
晶圓的深度剖析
GD-OES能夠以u m/min的濺射速率對材料進行元素深度剖析。另外，GD-OES可以通過元素分布變化來評估薄膜的厚度，被廣泛應用于半導體工藝的研發和質量控制等領域。
特點
■分析速度快 (μ m/min)
■元素測試范圍寬廣: H(氫)到U (鈾)
■無需前處理和超高真空
重點應用
1.氧化/腐蝕研究
2.光學鍍膜
3.金屬鍍膜
4.表面處理